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明纬电源求助
时间：2018-05-13 06:48:37
大家好，我手里有台明伟电源SD-500L-24，大家有人对这款电源了解吗，电源初学者，想学习一下啊，共同交流一下，附上说明书SD-500-spec[30660].pdf
谁知道所说的切换电路是什么，是切换19-23，，，24-72，，，，还是切换遥控电路 坐等是切换电源开或关，他利用Rc, Rg两个点施加电压让输出有电压或没电压，其中Rg以注明为负，RC为正，内部是光藕做隔离 这种应该是不同系统或不同准位的考量.. 您有研究过这款电源吗 我有同学在明纬做协理... 您好，我想多了解一点关于这款电源的信息前级使用交错式升压.. 晚点上传资料.. 谢谢大哥，谢谢大哥 如果是交错式的话是不是需要两个电感，这个只有一个电感呀 DC-DC 需要升壓???? 需要 那是因為隔離式轉電壓時怕依次側電流太大, 所以要升壓在轉降壓 交錯式升壓: tps40090-q1.pdf 參考電路圖
這顆很貴, 但效率很高, 因此你兩級串聯相對效率才會高, 第二及隔離就推晚式就好....... 不然隔離原邊跟副邊都要用銅箔繞麼? 一個電感是用CCM的PFC電路做的, 明煒有用Cree 碳化硅二極體30A, 一顆USD3.3, 你要麼? 可是我手里这款电源前级就一个芯片，UCC28019A,这两个管子是怎么控制的，，电感也只有一个很簡單阿, 兩管並連使用, 當一般升壓電路, Vins 原本PFC時用作偵測Vrms, 你一樣照給它一個電壓, Vcc就從輔助電源來...... 那不是重點, 重點是Choke要能承受30A, 輸出二極體因為升壓關係要用碳化硅, 一般蕭特基二極體應該承受不了, 因為電流太大了.... 那如果真的是19-72升压到75，，，如何办到？調整分壓電阻就好了, 最低19V升到75V, 最大周期開到75%左右還可以, 當72V升到75V, 周期只開4% 如果你是72V轉70V, IC不動作, 輸出電壓維持在72V-Vd....這時只有二極體的直流損耗, Mosfet跟沒裝一樣... 不太明白，您能说的详细一点吗，，那最小时周期设置多少，电感会不会饱和呢週期是透過PWM回授自己調
Ipeak 約為(Pi / Vi) * 1.732 這是升壓電路主要結構, 這類的結構其實很簡單, 主要是電感較麻煩 假設 Pin 需提供550W 那 550W/19V =28.9 幾近30A , 方波經過電感, 電流為鋸齒波, 高度為根號3就是1.73 所以峰值最大電流為30 * 51.9A 若用Bobbin 來繞銅箔大約至少要5.6mm^2..... 那么小的占空比，芯片可以实现吗 A點標錯了, A點在MOS_G整體波形如下: 依序為 Vin PWM Vout
少画了一个二极管
這樣
嗯..這就是交錯式, 兩相差180度 第12帖我有貼四交錯式, 不過那是用現有IC, 你可以試著將一分為二.... 嗯 沒錯, 就是這樣..那你可以開始選Controll.... 大哥，我能在这个基础上让开关管实现软开关吗?还能不能吧把性能再优化，或者从哪个方面对其进行优化導正一下, 不然待會璐璐會來插花..... 前級交錯式升壓因為不式使用在PFC電路, 所以基本上使用無橋結構, 也就是使用FAN那一顆就可以實現 有橋式則必須使用MCU加Get Driver , 後級推挽式是可以用軟切, 不過你那電壓不是很高, 軟切很浪費, 低壓時現以目前的MOSFET 耐壓100V百安培的很多, 且RDSon 都很低, 只要慎選零件, 其實要做到Total 90%不困難 電壓Range 19 - 75V, 將前級設定輸出在70V, 可以使兩相MOSFET的電流應力變小, 但在輸入電壓達70-71區間, Controll 會呈獻稍震盪情形 因為在此區間輸入太接近輸出了,這一段就用輸出電容去補就好,當電壓超過72V以後, 前級幾乎沒有任何損耗,只有二極體 VF*Io的Loss, 但你可以使用100V Ultra Low VF二極體, 其他幾乎沒損耗, 只有後級的損耗而已, 此時候若原本效率就高 你會發現整體效率高的不得了....
小年嗨皮哈！~（腊月廿三） Thank's U 兔 ....... 大哥，电感和后级变压器的磁芯应该如何选择，根据什么電感通常多用鐵硅鋁, 但是形狀是環形, 但你需要用銅箔繞, 因此需要Bobbin, 與變壓器一樣用PC40材質, 致於計算, 我打不出符號, 你可上網蒐一下 先以瓦特數求Ae值, 與感量, 再選體積小Ae值大的, 像PQ, 或RM, EC這一類的Core 與Bobbin...... 单独boost的话电流很大，如果采用交错并联的话电流变1/2，这样还需要铜箔绕制吗可以不用銅箔, 但繞在環形的線需要用多股線(不要用單蕊漆包線, 集膚效應會很嚴重, 且效率不好), 不知道你取得容不容易.... 大哥，我在赵修科书上看到，正激占空比要小于0.5，为了承受突加负载，取0.4，效率取得0.8计算，，，，然后后面介绍推挽，提到相当于两个正激，取得时候与前面正激条件一样效率0.8，但是Dmax=0.4*2=0.8.下面有公式：Po=效率*D*Uimin*I=1.01Uimin*I。Idc=1.58I电力有效值与平均值，，，这个公式里面的D指的是一个周期内两个管子导通占空比之和？是这么理解吗正機佔空比布可大於0.5的原因是因為需要一組復位線圈, 當主MOSFET Off後, 變壓器原邊相當於空接, 因此必須透過復位線圈把 -V=L* ( dI / dT) 能量釋放到輸入電容端, 當你周期超過0.5時, On能量在Off區間無法完釋放, 因此再下一ON時, 會因為兩個能量相疊, 峰值電流會往上拉.... 推挽是利用兩顆MOSFET, 它可個別操作在接近0.45, 0.4是以前, 因為兩顆MOSFET為避免一顆ON與另一顆OFF在上升與下降有斜率產生重疊 因此兩邊會做一個死區, 早期Mosfet 無論Ciss或Qg 都很大, 因此操作在相當頻率時斜率變大, 因此須把死區拉大, 假設操作Dmax=0.4, 那意味兩邊死區就是 各0.1, 此時偏磁會較大, 當你選用Ciss, Qg小, 將Dmax控制逾0.45, 那死區兩邊只有0.05, 偏磁就會變小... 那公式是兩管總和..... 環路如圖
正激類.xls 試看............... 如圖
不懂...@_@ 電流擷取方式
Vref由D2穩壓, 透過R2,R3分壓取得Vref1 , 當輸出電流Io * RS > Vref1時, OP轉態由Low轉為High, 若要相反則將 OP兩輸入接腳反接... CT高端截取
CT低端截取
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