兼顾高耐压与低Vce（sat）性能的650V场截止沟槽式IGBT受热捧

　　绝缘闸双极电晶体（IGBT）是一种少数载子功率元件，拥有高输入阻抗和高双极电流功能，这些特性使其适用于多种电力电子产品，特别是马达驱动器、不断电系统（UPS）、再生能源系统、焊接机、电磁炉，以及其他须支援高电流和高电压的逆变器（Inverter）应用。

　　此外，抗短路能力也是IGBT适用于各类逆变器的重要特性。在由逆变器驱动的UPS或马达中，当启动时发生马达故障、输出短路或输入匯流排电压贯穿（Voltage Shoot Through）等情形时，IGBT将会受到破坏。在这些状况下，通过IGBT的电流将急速增加直到饱和为止，在进行故障侦测及启用保护功能之前，IGBT应能承受此压力。

　　三级拓扑逆变器点燃650伏特IGBT需求

　　从逆变器设计来看，三级中性点箝位（Three-level Neutral-point-clamped）拓扑正加速普及，并扩散至中低功率电源转换器，以提供更高输出电压频谱效能，藉此缩减滤波器尺寸并降低成本，同时在不产生过多切换损耗之下，增加切换频率。

　　在三级NPC拓扑中，因为直流链电压（DC Link Voltage）无法获得良好平衡，故在此拓扑中需更高的阻断电压（Blocking Voltage），对此，支援650伏特崩溃电压的IGBT能有效满足此一设计需求，市场渗透率正逐渐翻扬。然而，通常较高的崩溃电压会使Vce（sat）增加，造成逆变器应用的效能降低，因此如何使650伏特IGBT的切换及导通损耗，维持与传统600伏特IGBT方案相同的程度，对晶片商和系统厂而言无疑是至关重要的努力方向。

　　IGBT的极间饱和电压（Vce（sat））及切换效能两者互为消长，主因係较高的崩溃电压设计所增加的Vce（sat）补偿值，可能使系统产生较大的切换损耗，因此在消长曲线中找到最佳设计平衡点，将是优化650伏特IGBT性能的关键。