用脉冲变压器驱动MOSFET的一些问题

请见上面的电路,一个PWM信号经过一级推挽和隔直电容,驱动一个脉冲变压器,然后驱动MOSFET,用于反激ACDC.脉冲变压器是EE13,初次级都是30圈,磁芯无气隙.按照这个电路,驱动脉冲虽然不是很好,可以应该还是可以接受.问题是在当PWM信号停止的时候(这时候PWM输出一直是低电平),MOSFET的栅极有一个振荡,振荡过后有一个4V左右的直流电平.持续很长时间,MOSFET持续打开,然后肯定会烧掉.

请问PWM信号经过脉冲变压器去驱动MOSFET有什么好的电路形式?
谢谢 取消C5,当开关管关断时,结电容的电压通过C5、TX1后形成串联谐振.要想关断更好,建议用27Ω电阻(视开关管驱动电压而定)取代C5,D12反接.这时结电容的电压通过D12、R13、TX1快速放电.请参考. 的确如你所说,换用你这种方式之后,振荡消失了.

不过这里还想问一个问题:就是推挽输出后有一个隔直电容,而PWM信号的直流分量跟占空比成正比.这样占空比越大(40%-50%),直流分量也越大,所以经过电容后,PWM的正脉冲幅度会降低,降低的值就是等于原来的直流分量.所以15V的正脉冲经过隔直后,正脉冲只有不到10V.拿这个电平去驱动power MOSFET有点不放心.
如果光是把驱动变压器的次级圈数增大,那在占空比很小的时候,又会导致正脉冲超过15V,可能对power MOSFET造成损伤.

这个问题怎么解决?电路形式除了PWM信号,脉冲变压器和power MOSFET不变,其他都可以变. 漏感问题,加我QQ21453981,我告诉你解决办法 我觉得应该不是漏感的问题,而是次级线圈的电感和电容谐振的后果 顶一下,都不知道沉到哪里去了
希望高手不吝赐教

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PWM 停止后,你的GS 间电量只有走C5的漏电流 和R11放电,当然mosfet是慢慢地被关断,如果主回路有点,就处于耗散状态了,

关键:放电回路-PWM停止后,不能通过C5 放电, 原因的确是想你所说的,不过用了sun49说的方法,振荡已经消失了.现在的问题是隔直之后,正脉冲的幅度下降了,有什么办法减轻这个幅度下降? C6要么加大容量,或者是不是独石或者CBB这样的高频响应好的电容,忘告知实验结果.

一定要隔直吗? 我也试过把电容值从1u加大到10u,效果有所改善,但正脉冲只是提高了不到1V.所以我觉得这不是根本的解决办法.

隔直我觉得还是要的.因为我只使用了小功率的三极管,如果不用,光是从仿真的结果来看,正脉冲的时候有2A那么大的电流流过上管(NPN管).

PS:我还没有在实际的板子上做试验,只是在电脑上仿真仿真而已 确实,上面的管我照着你的电路搭了一个实际电路测试了,上面的npn烧掉了,不知道楼主是不是已经解决了这个问题呢,能总结一下说一下结果吗,我是用50kHz的脉冲 目前没有什么好的办法,隔直电容必须保留,只有去掉C5.这样PWM波形的直流电平会降低,整个波形会往下移,也就说正脉冲的电平会变低.10uF的时候只有8V.现在只是凑合用着这个办法了. 用楼主贴上的电路,次级波形不理想哦,不知道楼主变压器的参数是多少的,匝数比和使用的线径是多少呢,方便说一下吗 只要DS上有8V左右的电平就可以了,如觉电平低,只有加大电容.线路已有D11保护,开关管不会有问题. 我现在的想法是增大脉冲变压器的次级线圈匝数,譬如从1:1增大到1:1.2或者1:1.5.以此来提高正脉冲的电平.不知道这种做法会不会引入其他的问题呢 仿真, 看看逻辑关系就好,不可完全当真 隔直电容c6要1uf么,这可是cbb谈电容中的最大值了,下面还有人说用10uf的电容,难道用电解电容吗?还是你们只是做没有具体电路实现的仿真?请指教 我就是用普通电解电容的2.2UF,3525直接输出驱动,变压器次级也只用一串一并两个电阻,很好的. 我也在用脉冲变压器驱动MOSFET,请深入理解变压器原理.去掉R13、D12试试,去除C5驱动脉冲幅度会随占空比增大而减小.另外,象MTP6N60这类中小功率MOSFET无需另加图腾柱,UC384X系列就可直接驱动. 如果NMOS在电路的高端,而负载为蓄电池,情况又会怎样呢?望做过类似电路的高手支招!谢谢 第一帖附图即可用于浮动和隔离驱动场合.图中R13 D12为错误设置,磁芯材质宜采用R5K及以上高磁通材料. 请问你是如何实现在仿真过程中关掉PWM？