sp6002同步整流表现怎么样？有人用过吗

想用sp6002做正激同步整流，不知道这个芯片表现如何？动态特性和开关机表现怎么样

SP6002是擎力早一代產品, 輸出推動只用5V, 因此你選的MOSFET必須VGS屬邏輯位準(Vth 1.2V啟動)

且在整流與續流操作時, 當進入輕載模式時, 正激式操作在接近原邊MOSFET_ON時所造成的Ring 會跟隨不上

所以動態會差一點...

新一代是SP6012, 電壓拉到12V, 也解決輕載問題, 所以要用就用SP6012...

SP6012.pdf

也有了解过sp6012，但是这款芯片频率只有到400k，我的这个项目要求频率最高到600k，找了好多芯片都不能满足要求，而且有动态指标，怕是6002也用不了了

600Khz操作頻率應該找不到一顆同步IC可用, 因為這樣的頻率已經可以做ZCS結構, 同步可能跟不上

根據學術研究結果, 以高功率1000W以上切換最佳操作依次是

GaAs 高於300Khz低於600Khz

SIC 高於100Khz低於300Khz

Si 低於100Khz

所以, 若你是用在高功率基本上輸出用二極體就好, 其他不會有啥好效果.....

并非用在高功率场合，5V/8A输出的小模块，用肖特基的话太烫了，所以想做同步整流减小一点发热，不知道用隔离驱动效果如何？用桥式隔离驱动器si8234来驱动正激 ㄟ.....5V8A小模塊跑200K你的變壓器就很小了,很漂亮了, 幹嘛跑600Khz, 這種正激式 Choke 都比變壓器還大...... 这也是客户提的要求。。他们外同步频率就是这么高

沒看到這一條....

客戶外同步是由一次側同步? 高壓端PWM ? 輸入電壓多少?

一次侧同步，低压端的pwm，现在他们舍弃了，追求效率和其余参数 为何您这篇datasheet中sp6012的工作频率可到达650k呢？是文件出错还是芯片更新了？ 好吧。。我的问题，6012是650kHz的，6018和6019才是400k

有分SP6012與SP6012A

我的是第一手資料.......

那如果我用6012来做同步整流的话动态会好点吗 以頻率200K, 動態還不錯.. 哎，频率这么高也是真没办法，效率也做不上去，自己先搭板调一个看看好了 如果頻率真的要跑那麼高, 那慎選MOSFET吧... 现在和客户沟通过了，可以把频率降到300了。。sp6012是否可以工作在占空比大于0.5的情况呢？不知前辈是否有sp6012在200k的动态数据？

這類資料, 客戶有我沒有, 在台中, 一樣專做DC/DC模組, 用的也是正激結構, 但正激不可超過50:50佔空比, 但因為DC/DC模組不像AC/DC有非常大的漣波, 因此設計在47:63, 保留2%動態偏移剛剛好, 如此整流與續流在電流分配上較平均, 效率也很較好.....

通常這類設計也大多在500K以下, 很少作到600K, 但電壓輸入只要超過100V以上, 建議最好操作頻率為200K較適合, 不然400V以上MOSFET 其Qg很難選

而樓下說的消影時間不知是啥, 但SP60系列是用斜率預測, 因此在進入連續模式時, Ton-Toff 各會保留約1-1.5uS的所謂死區時間, 以避免整流與續流

Mosfet 同時導通, 這應該是樓下所謂消影時間, 所以你算一下假設1.5us在你操作頻率上所佔週期左右各為1%, 那你設計47:63時, 整流有46%走Mosfet

1%走Diode, 相對續流有62%走Mosfet, 1%走Diode........

也就是说为了让SRMOS的导通比例足够大，死区时间限制了我的周期长度，也就是我的频率，不过我也可以通过调节死区时间来提升频率才对。不过现在频率降下来了，应该会有更好的效果。我们做正激一般都将最大占空比设置在55%左右，15-80V输入，也就在15V的时候可以到达最大占空比，标称28V输入的时候占空比在30附近，续流管的导通比例占大部分。现在已经投了一个SP6012的实验DEMO，准备到了就开始调了！谢谢前辈的悉心教导 次级侧（MOT最小导通时间，一般会有个1.5uS的消影时间）限制了初级最大占空比 这个消影时间是怎么个说法，为什么会有这个呢 稍微装逼一下，以反激为例，初级侧MOS关断瞬间，次级相位反过来瞬间电流是先通过同步整流MOS的体二极管导通的，瞬间会产生一个负向的Vds电压，一般同步整流都会设置一个开通同步整流MOS管的开通阈值电压，一般在负几十个毫伏左右，而这个体二极管的导通瞬间产生的振铃可能会误差发到这个阈值引起同步整流提前关断，所以就引进了一个MOT(Minimum on time),一般1.5uS（Turn on blanking）左右来避免提前关断

這個是哪一家的我不知道, 但你小看擎力的SR Controller 了

反激式若用SP6018或SP6019則,

1). 在MOSFET導通前, 可以讓你調整延遲時間

2). 在原邊Mosfet ON前, SR mosfet 可以提前關閉, 時間一樣可調 <==所以進入CCM時不會有交越情形

3). 低負載關閉SR Mosfet, 可以設定電流多少啟動SR Mosfet, 例如輕載0.2A以下將SR關閉, 當電流大於0.2A時,

SR Mosfet才會驅動, 這樣可以省掉輕載的損耗

4). 因為使用斜率週期預測法, 所以當發生動態時, 第一週期與第二週期時間大於600nS, 則SR驅動前後週期自動縮短1uS以避免交越..

5). SR mosfet 預測位準為3.9下降至0.9V之間, 不會管你二極體的負壓, 因為內部有一個參考位準, 所以不會有重覆開通問題, 此區間你可以不做延遲, Mosfet在100nS內自動會開通,.....

SR的方案从拓扑上来讲是不能完全同步的，所以叫次级同步，所以次级开通瞬间肯定是先在MOS体二极管震荡一下，这里只是解释下楼上那位兄弟问的问题，没有针对你家的产品，真正解决同步的还是看下PI跨初次级的INNOSWITCH 这个隔离ic挺吸引人的，不知道有没有单管正激的ic